我国半导体技术在照明革命中抢占制高点_行业资讯_照明产业网手机版
我国半导体技术在照明革命中抢占制高点
我国半导体技术在照明革命中抢占制高点
2008-01-11 10:27  点击:559
[摘要]半導體光源具有體積小、壽命長、節能、環保和安全等特點,用它代替白熾燈、熒光燈是人們夢寐以求的目標。半導體照明產業屬於光電子產業領域。隨著第三代半導體材料氮化鎵的突破和藍、綠、白光發光二極管的問世,半導體技術在引發微電子革命之後,又在孕育一場新的產業革命——照明革命。美國、日本、韓國等國傢和地區,近年來相繼推出半導體照明計劃,投入巨資進行研發。我國“半導體照明工程”重大項目在探索性、前沿性材料生長和器件部分關鍵技術取得突破,部分核心技術突破的苗頭已經顯現。 目前,國內已首次成功生長出直徑3英寸的Si
    半导体光源具有体积小、寿命長、节能、环保和安全等特点,用它代替白炽灯、荧光灯是人们梦寐以求的目标。半导体照明产业属于光电子产业領域。随着第三代半导体材料氮化镓的突破和藍、绿、白光发光二极管的问世,半导体技术在引发微电子革命之后,又在孕育一场新的产业革命——照明革命。美国、日本、韓国等国家和地区,近年来相继推出半导体照明計划,投入巨資进行研发。

  我国半导体照明工程重大項目在探索性、前沿性材料生長和器件部分关键技术取得突破,部分核心技术突破的苗头已经显現。

    目前,国内已首次成功生長出直径value="3" UnitName="英寸">3英寸SiC单晶,外延片上进行电致发光试验已得到藍光输出;以企业为主体的100流明/LED制造技术开发进展较快,特别是在图形衬底制备及外延生長、垂直結构LED芯片制备(衬底剥离和芯片黏接)技术、通过粗化提高光萃取效率技术等方面取得较好进展,在国际上首次推出功率型Si衬底LED芯片产品,已超过课题阶段任务目标;半导体照明公共研发平台取得阶段性进展,批量生产的白光LED发光效率最高为68lm/W(@350mA3.21V),处于国内高端水平,达到韓国、台湾地区产业化先进水平,提高了企业产品的市场竞争力;重大应用和規模化系统集成技术研究进展順利,value="42" UnitName="英寸">42英寸采用LED背光的液晶电视样机,已经展出,奥运兩大场馆之一的国家游泳中心(水立方)value="50000" UnitName="平方米">5万平方米LED景观照明工程已完成3轮現场试验;目前已制定行业标准3項,正在研究制定6項国家标准和10余項行业标准。

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