我国充电桩核心芯片成功量产 可用于LED照明领域

　　一块手机SIM卡大小的芯片，却能承载超过700伏的电压，导通电阻仅有30毫欧，实現高效低耗的电能转换。這就是新能源汽车充电桩的“心脏”MOSFET(金属氧化物半导体型场效应管)。近日，記者从苏州东微半导体公司了解到，新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片已成功量产，打破国外厂商垄断。

　　近年来，国内新能源汽车发展迅猛，俗称“快充”的直流充电桩已经遍布高速公路、停车场。直流充电桩一般由通信模块、开关电源模块及控制模块等构成。其中，MOSFET是开关电源模块中最核心的部分，是实現电能高效率转换，确保充电桩稳定不过热的关键器件。

　　“交流电进入电桩后，MOSFET通过控制芯片来控制电流通断，形成脉冲电流，再通过电感耦合转换为新能源汽车需要的直流电源。”东微半导体的总经理龚轶介绍。

　　MOSFET的成本占整个开关电源模块成本的20%左右。在一个开关电源模块中，需要用到几个甚至近百个MOSFET。过去，這一領域被国外厂商垄断，国内厂家大量采购进口品牌的MOSFET，不仅价格高昂，还经常缺货。

　　东微半导体经过兩年的研发，原创了全套专利技术，目前已实現充电桩用高压高速MOSFET系列产品量产，在国内充电桩企业批量应用。同时，该产品还出口到韓国、日本和德国市场。同时，还广泛应用在手机充电器、LED照明，显示器、工业照明等电源转换領域。

　　“相较于国际品牌，我们研发的MOSFET，电源开关时的电损耗更低，电流转换效率更高，長期在户外使用更加可靠，价格也低了10%—20%。”龚轶说。