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我国“半导体照明工程”重大項目在探索性、前沿性材料生長和器件部分关键技术取得突破，部分核心技术突破的苗头已经显現。
半导体光源具有体积小、寿命長、节能、环保和安全等特点，用它代替白炽灯、荧光灯是人们梦寐以求的目标。半导体照明产业属于光电子产业領域。随着第三代半导体材料氮化镓的突破和藍、绿、白光发光二极管的问世，半导体技术在引发微电子革命之后，又在孕育一场新的产业革命——照明革命。美国、日本、韓国等国家和地区，近年来相继推出半导体照明計划，投入巨資进行研发。value="3" UnitName="英寸">3英寸 的SiC单晶，外延片上进行电致发光试验已得到藍光输出；以企业为主体的100流明/瓦LED制造技术开发进展较快，特别是在图形衬底制备及外延生長、垂直結构LED芯片制备（衬底剥离和芯片黏接）技术、通过粗化提高光萃取效率技术等方面取得较好进展，在国际上首次推出功率型Si衬底LED芯片产品，已超过课题阶段任务目标；半导体照明公共研发平台取得阶段性进展，批量生产的白光LED发光效率最高为68lm/W(@350mA、3.21V)，处于国内高端水平，达到韓国、台湾地区产业化先进水平，提高了企业产品的市场竞争力；重大应用和規模化系统集成技术研究进展順利，value="42" UnitName="英寸">42英寸 采用LED背光的液晶电视样机，已经展出，奥运兩大场馆之一的国家游泳中心（水立方）value="50000" UnitName="平方米">5万平方米 的LED景观照明工程已完成3轮現场试验；目前已制定行业标准3項，正在研究制定6項国家标准和10余項行业标准。
