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美国BOLB公司宣布深紫外发光二极管重大技术突破

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放大字体  缩小字体    发布日期:2018-06-20  来源:半导体照明  浏览次数:362
核心提示:2018年6月12日,美国BOLB公司宣布在全透明结构深紫外发光二极管(UVC LED)上实现了12.2%的外量子效率(EQE)。

2018年6月12日,美国BOLB公司宣布在全透明结构深紫外发光二极管(UVC LED)上实现了12.2%的外量子效率(EQE)。这一技术突破为UVC LED在未来几年内实现接近可见光LED的效率铺平了道路,将进一步拓展UVC LED消毒杀菌技术在日常生活中的应用。

过去,提高深紫外波段LED器件光效一直受到窄能带空穴载流子供应层的制约该层导致芯片结构中P型半导体一侧强烈吸光。去除该窄带层的各种尝试总是带来高工作电压和显著退化的LED电流-电压特性,由此引发的高热会造成更短的器件寿命。

如今,BOLB公司取得的重大基础突破,实现了UVC LED整体结构对最佳杀菌波段的紫外线完全透明,并在基于该技术的第一代产品上实现12.2%外量子效率(EQE)和9.5%的电-光转换效率(WPE)。与其他同类产品相比,BOLB公司可以在更适合杀菌的波段,用最少的芯片数量和最低的电流来实现同样的输出功率。该突破为后续大功率UVC器件的进一步优化,并达到50%EQE或更高的目标性能提供了坚实的基础。

目前,该款产品在战略合作客户试用后,已经进入小批量生产。

 
 
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