日本Nitride投设子公司，研发高效率Micro UV-LED芯片

　　昨(1)日，日本UV LED制造商Nitride Semiconductors宣布投资1亿日元(折合人民币约614万元)设立全资子公司Micro Nitride。该子公司将专注于研发、制造和销售用于Micro LED显示器的Micro UV LED芯片，2018年11月1日起开始运营。

　　据悉，目前有两大制造Micro LED显示屏的主流方法。其一是采用红绿蓝光的三基色LED;其二是通过蓝光LED激发红绿荧光粉搭配蓝光LED实现全彩化。

　　三基色LED方法中，由于其材料易碎，无法制造出μ红色芯片，高密度、具有不同结构和不同颜色的LED芯片安装难度也很大。同时，它们的电流、电压及反应速度都不同，因此难以实现对每个芯片的控制。

　　而μBlue LED激发方法则可以将所有安装好的LED芯片集成到μ蓝光LED中，降低了安装难度，电源和电压也能够实现统一。但是，蓝光是主动发光，而红光和绿光是通过激发产生，所以会出现反应速度的时间滞后问题。另外，蓝光激发导致红光和绿光亮度低，因此颜色再现性较差。

　　(图片来源：Nitride官网)

　　值得注意的是，Nitride Semiconductors采用μUV-LED +RGB荧光粉，解决了这个问题。该公司发现制造具备N层和P层超线性结构(SLS)的μUV-LED芯片，发光效率提高了一倍(专利申请中)。这主要是由于扩散电流的距离短，发光复合率提高，内部量子效率提升，发光层到外部的距离变短，进而外部量子效率得到提高。

　　(图片来源：Nitride官网)